1、公司及董事会全体成员保证本预案内容真实、准确、完整，并确认不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。

　　3、本次向特定对象发行股票完成后，公司经营与收益的变化由公司自行负责；因本次向特定对象发行股票引致的投资风险，由投资者自行负责。

　　6、本预案所述事项并不代表审批机关对于本次向特定对象发行股票相关事项的实质性判断、确认、批准或核准，本预案所述本次向特定对象发行股票相关事项的生效和完成尚待公司股东大会审议通过、上海证券交易所审核通过并经中国证监会作出同意注册决定。

　　1、公司本次向特定对象发行股票的相关事项已经公司第二届董事会第八次会议审议通过，本次发行方案尚需经公司股东大会审批，并经上海证券交易所审核通过、中国证监会同意注册后方可实施。

　　2、本次发行对象为不超过 35名符合中国证监会规定条件的特定对象，包括证券投资基金管理公司、证券公司、信托公司、财务公司、资产管理公司、保险机构投资者、合格境外机构投资者、其他境内法人投资者、自然人或其他合格投资者。证券投资基金管理公司、证券公司、合格境外机构投资者、人民币合格境外机构投资者以其管理的 2只以上产品认购的，视为一个发行对象；信托公司作为发行对象的，只能以自有资金认购。

　　最终发行对象由公司董事会及其授权人士根据股东大会授权，在本次发行申请获得上海证券交易所审核通过并经中国证监会做出予以注册决定后，由公司董事会根据询价结果，与保荐机构（主承销商）协商确定。若发行时国家法律、法规或规范性文件对发行对象另有规定的，从其规定。所有发行对象均以人民币现金方式并按同一价格认购本次发行的股票。

　　本次向特定对象发行股票的发行价格为不低于定价基准日前二十个交易日公司股票交易均价的 80%，上述均价的计算公式为：定价基准日前二十个交易日股票交易均价=定价基准日前二十个交易日股票交易总额/定价基准日前二十个交易日股票交易总量。若公司股票在本次发行定价基准日至发行日期间发生派息、送股、资本公积金转增股本等除权、除息事项，则本次发行的发行价格将进行相应调整。

　　最终发行价格将在公司取得中国证监会对本次发行予以注册的决定后，由股东大会授权公司董事会或董事会授权人士和保荐机构（主承销商）按照相关法律法规的规定和监管部门的要求，遵照价格优先等原则，根据发行对象申购报价情况协商确定，但不低于前述发行底价。

　　4、本次向特定对象发行股票的数量按照募集资金总额除以发行价格确定，且不超过本次发行前公司总股本的 10%，即本次发行不超过 43,570,740股（含本数）。最终发行数量将在本次发行获得中国证监会做出予以注册决定后，根据发行对象申购报价的情况，由公司董事会根据股东大会的授权与本次发行的保荐机构（主承销商）协商确定。

　　若公司在审议本次向特定对象发行事项的董事会决议公告日至发行日期间发生送股、资本公积金转增股本等除权事项或者因股份回购、员工股权激励计划等事项导致公司总股本发生变化，本次向特定对象发行的股票数量上限将作相应调整。

　　若本次向特定对象发行的股份总数因监管政策变化或根据发行注册文件的要求予以变化或调减的，则本次向特定对象发行的股份总数及募集资金总额届时将相应变化或调减。

　　5、本次向特定对象发行股票募集资金总额不超过 450,000.00万元（含本数），扣除发行费用后，募集资金净额拟投入以下项目：

　　在上述募集资金投资项目的范围内，公司可根据项目的进度、资金需求等实际情况，对相应募集资金投资项目的投入顺序和具体金额进行适当调整，募集资金到位前，公司可以根据募集资金投资项目的实际情况，以自筹资金先行投入，并在募集资金到位后予以置换。募集资金到位后，若扣除发行费用后的实际募集资金净额少于拟投入募集资金总额，不足部分由公司以自筹资金解决。

　　6、本次向特定对象发行股票不会导致公司控股股东和实际控制人发生变化，不会导致公司股权分布不具备上市条件。

　　7、本次向特定对象发行股票完成后，公司本次发行前滚存的未分配利润由公司新老股东按照本次发行完成后各自持有的公司股份比例共同享有。

　　8、根据中国证监会《关于进一步落实上市公司现金分红有关事项的通知》（证监发〔2012〕37号）和《上市公司监管指引第 3号——上市公司现金分红》（证监会公告〔2023〕61号）等相关规定的要求，公司进一步完善了股利分配政策，关于股利分配政策、最近三年现金分红金额及比例、未分配利润使用安排等情况请参见本预案“第四节 公司利润分配政策及执行情况”。

　　9、根据《国务院办公厅关于进一步加强资本市场中小投资者合法权益保护工作的意见》（国办发〔2013〕110号）、《国务院关于进一步促进资本市场健康发展的若干意见》（国发〔2014〕17号）以及中国证监会发布的《关于首发及再融资、重大资产重组摊薄即期回报有关事项的指导意见》（证监会公告〔2015〕31号）等法律、法规、规章及其他规范性文件的要求，为保障中小投资者知情权、维护中小投资者利益，本预案已在“第五节 关于本次向特定对象发行股票摊薄即期回报与公司采取填补措施及相关主体承诺”中就本次发行对公司即期回报摊薄的风险进行了认真分析，并就拟采取的措施进行了充分信息披露，请投资者予以关注。

　　公司所制定的填补回报措施不代表公司对 2024年经营情况及趋势的判断，不构成承诺，不构成盈利预测。投资者不应据此进行投资决策，投资者据此进行投资决策造成损失的，公司不承担赔偿责任。提请广大投资者注意。

　　10、董事会特别提醒投资者仔细阅读本预案“第三节 董事会关于本次发行对公司影响的讨论与分析”之“六、本次股票发行相关的风险说明”有关内容，注意投资风险。

　　第九条、第十条、第十一 条、第十三条、第四十条、第五十七条、第六十条有关规定的 适用意见——证券期货法律适用意见第 18号》

　　National Association of Securities Dealers Automated Quotations 美国纳斯达克股票市场

　　常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，按照制造技术 可分为集成电路（IC）、分立器件、光电子和传感器，可广泛 应用于下游通信、计算机、消费电子、网络技术、汽车及航空 航天等产业

　　Silicon Wafer，半导体级硅片，用于集成电路、分立器件、传感 器等半导体产品制造

　　Integrated Circuit，指通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、 二极管等有源器件和电阻器、电容器等无源原件按一定的电路 互联并集成在半导体晶片上，封装在一个外壳内，执行特定功 能的电路或系统

　　在氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、清洗与抛光 金属化等特定工艺加工过程中的硅片

　　将通过一系列特定的加工工艺，将半导体硅片加工制造成芯片 的过程，分为前道晶圆制造和后道封装测试。

　　利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传 递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工 艺技术

　　用化学或物理方法有选择地在硅表面去除不需要的材料的过 程，是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺，是半导体 制造工艺的关键步骤

　　Electro Chemical Plating，电化学电镀，利用电解原理在晶圆表 面上镀上一薄层金属或合金的过程

　　Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition（等离子体增强化 学气相沉积），是 CVD的一种，在沉积室利用辉光放电使其 电离后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和 其他材料薄膜的制备方法

　　Low Pressure Chemical Vapor Deposition，低压力化学气相沉积

　　Atomic Layer Deposition，原子层沉积，是一种可以将物质以单 原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法

　　Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition（等离子体增强原子 层沉积），一种原子层沉积技术

　　Stress Free Polish，无应力抛光技术，该技术利用电化学反应原 理，在抛除晶圆表面金属膜的过程中，摒弃抛光过程的机械压 力，根除机械压力对金属布线的损伤

　　一种以深紫外（DUV）为光源、光波长为 193nm、应用技术节 点为 0.13μm-7nm的光刻工艺

　　一种以深紫外（DUV）为光源、光波长为 248nm、应用技术节 点为 0.25-0.13μm的光刻工艺

　　一种以紫外光（汞灯）为光源、光波长为 365nm、应用技术节 点为 0.35-0.25μm的光刻工艺

　　Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光，使晶圆表面保 持完全平坦或进行平坦化处理

　　一种新兴的闪存类型，通过把存储单元堆叠在一起来解决 2D 或者平面 NAND闪存带来的限制。

　　Chip in Package on Package，在同一个封装或系统里集成多个 裸片的一种新型芯片设计模式

　　Through Silicon Via，通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间 制作垂直导通，实现芯片之间互连的新的技术解决方案

　　芯片制造分为前道和后道工艺，前道主要是光刻、刻蚀、清洗 离子注入、化学机械平坦等；后道主要有打线、Bonder、FCB BGA 植球、检查、测试等

　　封装技术的定义为，在半导体开发的最后阶段，将一小块材料 （如芯片）包裹在支撑外壳中，以防止物理损坏和腐蚀，并允 许芯片连接到电路板的工艺技术

　　处于前沿的封装形式和技术。目前，带有倒装芯片（FC）结构 的封装、圆片级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、2.5D封 装、3D封装等均被认为属于先进封装范畴

　　Space Alternative Phase Shift，空间交替相移技术，利用兆声波 的交替相，在微观水平上以高度均匀的方式向平板和图案化的 晶圆表面提供兆声波能量，有效地去除整个晶圆上的随机缺 陷，并减少化学药品的使用

　　Timely Energized Bubble Oscillation，时序能激气穴震荡，通过 使用一系列快速的压力变化迫使气泡以特定的尺寸和形状振 荡，在兆频超声清洗过程中精确、多参数地控制气泡的空化， 避免传统超音速清洗中出现的由瞬时空化引起的图案损坏，对 图案化芯片进行无损清洗

　　盛美上海自主研发的清洗技术，在单个湿法清洗设备中集成了 槽式模块和单片模块，兼具二者的优点；Tahoe清洗设备的清 洗效果与工艺适用性可与单片清洗设备相媲美，还可大幅减少 硫酸使用量，帮助客户降低生产成本又能更好的符合节能环保 的政策

　　Semiconductor Equipment and Materials International，国际半导 体设备与材料产业协会。

　　注：本预案除特别说明外，数值保留 2位小数，若出现总数和各分项数值之和尾数不符的情况，为四舍五入原因造成。

　　一般项目：电子专用设备制造；半导体器件专用设备制造；机械 零件、零部件加工；电子专用设备销售；半导体器件专用设备销 售；专用设备修理；电子、机械设备维护（不含特种设备）；专 业设计服务；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术 转让、技术推广。（除依法须经批准的项目。